1. Flash存储器: g7 z4 h1 R6 S- h& L( f* u
(1)Flash 存储器是一种非易失性存储器,根据结构的不同可以将其分为NOR Flash 和NAND Flash 两种。
9 \7 U' e6 ? _' r! W$ U0 { (2)Flash存储器的特点:! h1 E% E7 X/ e" m, i
A、区块结构:在物理上分成若干个区块,区块之间相互独立。
o5 c* B1 N r1 ] B、先擦后写:Flash 的写操作只能将数据位从1写成0,不能从0写成1,所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作,将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块,而不是单个字节。
" T/ |' N* \8 P. h( p9 l C、操作指令:执行写操作,它必须输入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段时序(NAND Flash)才能将数据写入。9 b* X- a! l0 @3 y0 o; R" J; |0 i* U
D、位反转:由于Flash 的固有特性,在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免,只能通过其他手段对结果进行事后处理。
" X0 ^' N) ^0 ]1 ?4 p/ _8 q E、坏块:区块一旦损坏,将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。7 W4 o1 P% x( T4 f9 E& W" q
(3)NOR Flash的特点:3 z7 o3 ]2 I) U- G. ^2 Q0 ^5 w
应用程序可以直接在闪存内运行,不需要再把代码读到系统RAM 中运行。NOR Flash 的传输效率很高,在1MB~4MB 的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。2 s2 P, n) D8 G2 e! @8 H
(4)NAND Flash的特点
- X( U( p3 \- T 能够提高极高的密度单元,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,这也是为何所有的U盘都使用NAND Flash 作为存储介质的原因。应用NAND Flash 的困难在于闪存需要特殊的系统接口。( n1 h$ T! w; Y7 S4 o1 B! X
(5)NOR Flash 与NAND Flash 的区别:! x& x9 V7 f& x$ H& N
A、NOR Flash 的读速度比NAND Flash 稍快一些。
3 I" k* A! x& A: N: r/ C6 h. W! v B、NAND Flash 的擦除和写入速度比NOR Flash 快很多, D0 M7 @* L( C' M* G. f- K
C、NAND Flash 的随机读取能力差,适合大量数据的连续读取。8 u- u9 M9 J2 q' y7 I: A( ?& H
D、NOR Flash 带有SRAM 接口,有足够的地址引进来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash 的地址、数据和命令共用8位总线(有写公司的产品使用16位),每次读写都要使用复杂的I/O 接口串行地存取数据。* f; F" F3 F' p% `% U# X- l
E、NOR Flash 的容量一般较小,通常在1MB~8MB 之间;NAND Flash 只用在8MB 以上的产品中。
( Y, W0 L0 n" O: u: K 因此,NOR Flash 只要应用在代码存储介质中,NAND Flash 适用于资料存储。
* \% W' Q6 f8 k F、NAND Flash 中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR Flash 是十万次。
' W$ R' u1 U4 f# N G、NOR Flash 可以像其他内存那样连接,非常直接地使用,并可以在上面直接运行代码;NAND Flash需要特殊的I/O 接口,在使用的时候,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND Flash 上自始至终必须进行虚拟映像。
) [6 U* E3 v; ~! F/ H( Y H、NOR Flash 用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域,被成为代码闪存;NAND Flash 则用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U 盘等领域,被成为数据闪存。 |